تکنیک لیزری که یک بندگپ در گرافن باز میکند، میتواند برای نسل بعدی الکترونیک گرافنی بکار رود
پژوهشگران دانشگاه Purdue، دانشگاه میشیگان و دانشگاه علم و فناوری Hauzhong از تکنیکی به اسم اعمال شوک لیزری برای اعمال تنش دائمی گرافن بمنظور بوجود آوردن یک بندگپ استفاده کرده آند. که میتواند به این معنا باشد که استفاده از آن در قطعات الکترونیکی مختلف ممکن میشود.
محققان از یک لیزر برای ایجاد ضربه های موجی شوک دهنده که به لایه ی زیرین صفحه ی گرافنی نفوذ میکند استفاده کردند. شوک لیزری، گرافن را به شکل یک قالب شیارمانند امتداد میدهد. این عمل موجب افزایش بندگپ گرافن تا اندازه ی ثبت شده ی ۲.۱ eV میشود. پیش از این، دانشمندان به اندازه ی ۰.۵ eV دست یافته بوده و به سختی به راهی برای تبدیل گرافن به نیمه رسانایی مانند سیلیکون رسیده بودند.
گری چنگ، استاد دانشگاه Purdue در مقاله ای مرتبط میگوید: این اولین باریست که تلاشی توانسته به چنین بندگپ بالایی برسد بدون اینکه بر خود گرافن تاثیری بگذارد مثل داپینگ شیمیایی.
این تیم نه تنها بندگپی را در گرافن باز کرد بلکه توانست پهنای گپ را از ۰ تا ۲.۱ eV تنظیم کند و به دانشمندان و سازندگان این امکان را بدهد تا بتوانند تنها از یک سری ویژگی های مشخص گرافن بسته به اینکه میخواهند ماده چکاری انجام دهد استفاده کنند.
به گفته ی تیم، هنوز راه دیگری برای تبدیل گرافن به نیمه رسانا وجود دارد اما این روش امکانات بیشتری برای بهره بردن از خواص گرمایی، مغناطیسی و اپتیکی ماده فراهم میکند.
